О планах «Микрона» на текущий год

iXBT откопал на англоязычном ресурсе CDRInfo информацию о планах компании Micron на 2017 год. Забавно: ближе этой новости не нашлось, даже на сайте самой компании, хотя своими планами она поделилась на недавней конференции с аналитиками.

Планы «Микрона» на 2017 год включают:

  • наращивать выпуск 64-слойной флэш-памяти 3D NAND второго поколения;
  • начать выпуск памяти DRAM по нормам 1Y нм (16 нм), включая освоение производства памяти GDDR5 по этой технологии (одновременно идет разработка техпроцессов, рассчитанных на нормы 1Y и 1Z нм.);
  • представить память GDDR6 и готовые изделия на базе памяти 3D Xpoint.

Ознакомительные образцы 64-слойной флэш-памяти 3D NAND уже доступны. Она обеспечивает существенное (более чем на 80%) увеличение объема в расчете на одну пластину при одновременном снижении стоимости в расчете на бит на 30%. Память 3D NAND будет выпускаться плотностью 256 и 512 Гбит. Размер кристалла в случае 256 Гбит равен 59 мм² (4.3 Гб/мм²). Это рекордно маленький чип такой плотности. Миниатюрные размеры делают его особенно привлекательным для мобильных устройств.

Энергонезависимую память 3D Xpoint «Микрон» и «Intel» представили в 2015 году. Она в 1000 раз быстрее NAND и производится по технологии 20 нм, фактически самой передовой на данный момент. Продукт «Микрона» называется QuantX. В обеих компаниях полагают, что продукты на основе технологии 3D Xpoint в будущем заменят в персональных компьютерах всем привычные SSD и DRAM. Правда, стратегия «Микрона» несколько отличается от Intel: он больше смотрит в сторону высокопроизводительных системы и серверов, чем PC.

Оставить комментарий